STMicroelectronics STW23NM50N
$ 2.356
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW23NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET N-Channel 500V 17A TO247
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMICROELECTRONICS STW23NM50N MOSFETS
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:17A; On Resistance Rds(On):0.162Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.33 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant