Infineon IPW65R190C7XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPW60R230P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 / N-Channel 600 V 16.8A (Tc) 126W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW18N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW19NM50N
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW65R190C7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-Channel 650V 13A 3-Pin TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.404ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V;
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.15 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation72 W
Rds On Max190 mΩ
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen