STMicroelectronics STU9N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIHU7N60E-GE3
VISHAY SIHU7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
STMicroelectronicsSTU11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU9N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.72 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU9N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 5.5 A, 650 V, 3-Pin IPAK
N-Channel 600 V 780 mOhm Through Hole Mdmesh II Plus Mosfet - IPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance780 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance320 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max780 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant