STMicroelectronics STU8N65M5
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
International RectifierIPU60R600C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 / Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
STMicroelectronicsSTU11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
VishaySIHU7N60E-GE3
VISHAY SIHU7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
STMicroelectronicsSTU10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU8N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.56 Ohm, 7 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in IPAK
STU8N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-251
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 650V, 7A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.56ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:70W; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance690 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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