STMicroelectronics STU11N65M2
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTU10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
International RectifierIPU60R600C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 / Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
VishaySIHU7N60E-GE3
VISHAY SIHU7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU11N65M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Power Mosfet, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STU11N65M2
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MDmesh M2 Series 650 V 7 A 0.68 Ohm 85 W Single N-Channel MOSFET - IPAK
N-CHANNEL 650 V, 0.6 OHM TYP., 7 A MDMESH II PLUS LOW QG POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor
Synchronous Eco Speed Buck Regulator 20-Pin MLPQ-UT EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Power MOSFETs, 650V, 7A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 7A, TO-251-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; P
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance680 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max680 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time7.5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns