STMicroelectronics STU10N60M2
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
International RectifierIPU60R600C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 / Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
STMicroelectronicsSTU12N60M2
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
onsemiNDD60N550U1-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
onsemiNDD60N550U1-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 8.2A Tc 8.2A 94W Tc 600V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU10N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
STU10N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 650 V, 3-Pin IPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin IPAK Tube
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D²PAK | MOSFET N-CH 600V IPAK
Dfd Thyr Triac & Rectifier |Stmicroelectronics STU10N60M2
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max600 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time32.5 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant