STMicroelectronics STU75N3LLH6
$ 0.54
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2019-10-05
LTD Date2020-04-05
Verwandte Teile
onsemiNTD4806N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 79A 2.14W 4.7ns
onsemiNTD4805N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.7A Ta 95A Tc 95A 2.24W 8ns
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU75N3LLH6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Single N-Channel 30 V 0.008 Ohm 23.8 nC 60 W Silicon Mosfet - TO-251
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A
MOSFET, N CH, 30V, 75A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Power Dissipation Pd:60W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.03 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max5.9 mΩ
Rise Time30 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant