onsemi NTD4806N-1G
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Obsolete
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Stock
78,289
678,391
678,391
Authorized Distributors
1
3
3
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-251-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
6 mΩ
6 mΩ
6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.14 W
2.14 W
2.14 W
Input Capacitance
2.142 nF
2.142 nF
2.142 nF
Verwandte Teile
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Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 63A 2W 5.6ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4806N-1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 79A 2.14W 4.7ns
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 76A 6MOHM
Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Not recommended for new design. Use NTD4906N
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:76A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:60W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.142 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.14 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time23.8 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen