onsemi FDU8896
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
onsemiNTD4805N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12.7A Ta 95A Tc 95A 2.24W 8ns
STMicroelectronicsSTU85N3LH5
N-Channel 30 V 5.4 mOhm Through Hole StripFET V Power Mosfet - IPAK
onsemiNTD4855N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Ta 98A Tc 17.7A 2.24W 4.35ns
STMicroelectronicsSTU75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDU8896, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail
30V,35A,5.7MO,NCH, IPAK, POWER TRENCH MOSFET
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
80W(Tc) 2.5V@ 250µA 60nC@ 10V 1individualNChannel 30V 5.7mΩ@ 35A,10V 2.525pF@15V IPAK Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating94 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.525 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max5.7 mΩ
Rise Time106 ns
Turn-Off Delay Time53 ns
Voltage Rating (DC)30 V