STMicroelectronics STU65N3LLH5
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
InfineonIRFU3707ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 56A;I-Pak (TO-251AA);PD 50W
STMicroelectronicsSTU75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
onsemiNTD4806N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 79A 2.14W 4.7ns
onsemiNTD78N03-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
onsemiNTD78N03-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU65N3LLH5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 0.0061 Ohm, 65 A, IPAK STripFET(TM) V Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
50W(Tc) 22V 3V@ 250µA 8nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 7.3mΩ@ 32.5A,10V 65A 1.29nF@25V IPAK Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6 ns
Input Capacitance1.29 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time11.2 ns
Turn-Off Delay Time32.4 ns
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