onsemi NTD78N03-35G
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-06-30
LTD Date2009-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTD4857N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 78A Tc 14.6A 2.1W 3.6ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD78N03-35G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.4A Ta 78A Tc 78A 64W 42ns
Power MOSFET 25V 78A 6 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 14.8A 3-Pin (3+Tab) IPAK Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 25V 78A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 25V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
MOSFET, N, 25V, I-PAK; Transistor type:Enhancement; Voltage, Vds typ:25V; Current, Id cont:78A; Resistance, Rds on:0.006R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:1.6V; Case style:I-PAK; Power, Pd:64W; Transistor RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Current Rating78 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.25 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation64 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max6 mΩ
Rise Time68 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen