STMicroelectronics STU1HN60K3
$ 0.417
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13787-5-ND | 1.899 | 1 | Tube | ||||||||
| Mouser | 511-STU1HN60K3 | 2.876 | 1 | Tube | ||||||||
| Worldway Electronics | STU1HN60K3 | 15.823 | 7 | Tube | 10h | |||||||
| Utmel Electronic | 2381-STU1HN60K3 | 32.363 | Tube | 20h | ||||||||
| UnikeyIC | STU1HN60K3 | 1.899 | 1082 | Tube | 8h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD2NK60Z-1
N-channel 600 V, 7.2 Ohm, 1.4 A Zener-protected SuperMESH(TM) MOSFET in a IPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU1HN60K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
STU1HN60K3 N-channel MOSFET Transistor, 1.2 A, 600 V, 3-Pin IPAK
27W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 9.5nC@ 10 V 1N 600V 8¦¸@ 600mA,10V 1.2A 140pF@50V IPAK,TO-251
Trans MOSFET N-CH 600V 1.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Dfd Thyr Triac & Rectifier |Stmicroelectronics STU1HN60K3
Power Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)760 mA
Drain to Source Resistance8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation27 W
Rds On Max8 Ω
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
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