STMicroelectronics STD2NC45-1
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD2NC45-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 450V 4.1OHM 1.5A IPAK SuperMESH POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 450V 1.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STD2NC45-1
30W(Tc) 30V 3.7V@ 250¦ÌA 7nC@ 10 V 1N 450V 4.5¦¸@ 500mA,10V 1.5A 160pF@25V IPAK,TO-251 6.6mm*2.4mm*6.2mm
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Power MOSFETs, 450V, 1.5A, IPAK, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:450V; On Resistance Rds(on):4.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:1.5A; Current Temperature:25°C; Fall Time tf:12ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:30W; Power Dissipation Pd:30W; Power Dissipation Ptot Max:30W; Pulse Current Idm:6A; Rise Time:4ns; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:8.5ns; Turn On Time:6.7ns; Voltage Vds:450V; Voltage Vds Typ:450V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage450 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)450 V
Dual Supply Voltage450 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance160 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage450 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max4.5 Ω
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8.5 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant