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Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Verwandte Teile
onsemiSSU1N50BTU
Transistor,mosfet,n-Channel,500V V(Br)Dss,1.3A I(D),to-251Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi SSU1N50BTU
STMicroelectronicsSTU1HN60K3
N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQU1N60TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 11.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Current Rating1 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance11.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance150 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11.5 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Datenblätter und Dokumente
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