STMicroelectronics STD1NK60-1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STD1NK60-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STD1NK60-1 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1 A, 600 V, 3-PIN TO-252
N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in IPAK package
Ciiva
N-CHANNEL 600V-8 OHM-1A IPAK SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 600V, 8.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, N CH, 600V, 1A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:1A; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:30W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance8.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance156 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max8.5 Ω
Rise Time5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant