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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STP55NF06, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package

STMicroelectronics

Transistor MOSFET N Channel 60 Volt 50 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube

Jameco (USA)

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 60V 50A TO-220

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFET IIseries, Vds=60 V, 50 A, TO-220encapsulation, Through hole mounting, 3Pin

UnikeyIC

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation P

Farnell

Bilder

South Microelectronics

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

STP55NF06.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -100%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight4.535924 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)50 A

Current Rating50 A

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance18 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Dual Supply Voltage60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.3 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation100 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3 V

Number of Elements1

Power Dissipation110 W

Rds On Max18 mΩ

Resistance18 mΩ

Rise Time50 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage3 V

Turn-Off Delay Time36 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Voltage Rating (DC)60 V

Dimensions

Height9.15 mm

Length10.4 mm

Width4.6 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STP55NF06 herunter.