STMicroelectronics STP65NF06
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP60NF06L
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP55NF06L
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP65NF06, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.0115 Ohm, 60 A, TO-220 STripFET(TM) II Power MOSFET
STP65NF06 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 60 A, 60 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Mosfet, N Channel, 60V, 60A, To-220; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:60A; On Resistance Rds(On):0.0115Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:-Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.57%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant