STMicroelectronics STP60NF06L
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP55NF06L
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP60NF06L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STP60NF06L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 60 A, 60 V, 3-PIN TO-220
STMicroelectronics N-Channel MOSFET STripFET II Vds=60V 60A TO-220 TH 3-Pin
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel 60 V 14 mO 35 nC STripFET II Power MosFet - TO-220
60 A 60 V 0.016 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, LOGIC, 60V, 60A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Po
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 mΩ
Rise Time220 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant