STMicroelectronics STP60NF06L
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP55NF06L
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP60NF06L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.012 Ohm typ., 60 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STP60NF06L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 60 A, 60 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel 60 V 14 mO 35 nC STripFET II Power MosFet - TO-220
60 A 60 V 0.016 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 60V, 60A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:60A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP60NF06L.
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 mΩ
Rise Time220 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant