onsemi FQP27P06

Name: onsemi FQP27P06
Brand: onsemi
SKU: FQP27P06

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, TO-220

$ 0.917

Production

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	FQP27P06	3.880	50			0,936	0,883	0,883	3d
Newark		FQP27P06	79.468	1	0,785	0,785	0,785	0,785	0,785
Verical	3	FQP27P06	2.500	50			0,877	0,877	0,877
Arrow Electronics	2	FQP27P06	228	1	2,857	1,309	1,063	1,063	1,063
Master Electronics		FQP27P06	3.400	50			1,054	0,917	0,859

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Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

IHS

Master Electronics

onsemi

TME

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-10-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQP27P06, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, TO-220

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:SOT-78B; Current Id Max:-27A; Current Temperature:25°C; Device Marking:FQP27P06; External Depth:29.03mm; External Length / Height:4.5mm; External Width:9.9mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:70mohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:120W; Power Dissipation Pd:120W; Pulse Current Idm:108A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-4V

element14 APAC

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FQP27P06.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220-3

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)27 A

Current Rating-27 A

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance70 mΩ

Dual Supply Voltage-60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time90 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance1.4 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation120 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-4 V

Number of Elements1

Power Dissipation120 W

Rds On Max70 mΩ

Resistance70 mΩ

Rise Time185 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-4 V

Turn-Off Delay Time30 ns

Turn-On Delay Time18 ns

Voltage Rating (DC)-60 V

Dimensions

Height6.35 mm

Length6.35 mm

Width9.9 mm