STMicroelectronics STP4NK60Z

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220
$ 0.761
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STP4NK60Z herunter.

Future Electronics

Datasheet16 SeitenVor 13 Jahren

Newark

element14 APAC

Components Direct

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-1.06%

CAD-Modelle

Laden Sie STMicroelectronics STP4NK60Z Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTP5NK50Z
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP5NK60Z
N-CHANNEL 600V - 1.2 Ohm - 5A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
STMicroelectronicsSTP5N62K3
N-channel 620 V, 1.28 Ohm typ., 4.2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
onsemiFDP5N60NZ
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600V, 4A, 2Ω, TO-220
onsemiFDP5N50NZ
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 500 V, 4.5 A, 1.5 Ω, TO-220
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STP4NK60Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 2ohm; 70W; -55+150 deg.C; THT; TO220
STP4NK60Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 600 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
600 V, 4 A, 1.76 OHM N-CHANNEL SUPERMESH POWER MOSFET IN TO-220 Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd
Mosfet, N, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:600V; Resistencia De Activación Rds(On):2Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3.75V |Stmicroelectronics STP4NK60Z

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics