STMicroelectronics STP33N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
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N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
VishaySIHF30N60E-GE3
E Series N Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP33N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 package
Single N-Channel 650 V 0.125 O 190 W Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
190W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 45.5nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 125m¦¸@ 13A,10V 26A 1.781nF@100V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Mosfet, N-Ch, 600V, 26A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:26A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP33N60M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.781 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time9.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time109 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant