STMicroelectronics STF28N60M2
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IPA60R125CP Series 650 V 25 A 0.125 Ohm CoolMos Power Transistor - TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF28N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
STF28N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 650 V, 3-PIN TO-220FP
Mosfet, N-Ch, 600V, 22A, To-220Fp Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF28N60M2
30W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 37nC@ 10 V 1N 600V 150m¦¸@ 12A,10V 24A 1.37nF@100V TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max150 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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