Infineon IPA60R125P6XKSA1
$ 1.536
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rutronik | HVMOS1316 | 1.500 | 500 | 23h | ||||||||
| Rochester Electronics | IPA60R125P6XKSA1 | 3 | 15h | |||||||||
| Newark | IPA60R125P6XKSA1 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | IPA60R125P6XKSA1 | 0 | 500 | 17h | ||||||||
| Future Electronics | IPA60R125P6XKSA1 | 0 | 500 | Tube |
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP45N60DM2AG
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA60R125P6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-Channel 600V 30A 3-Pin TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Mosfet, N-Ch, 600V, 30A, To-220Fp; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.113Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA60R125P6XKSA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.66 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation34 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen