STMicroelectronics STP33N60DM2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-10-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP33N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 600 V 130 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet -TO-220
190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 43nC@ 10 V 1N 600V 130m¦¸@ 12A,10V 24A 1.87nF@100V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 24A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.11Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP33N60DM2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.87 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max130 mΩ
Threshold Voltage4 V
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