Infineon IPP60R125CPXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-30
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP60R099CPXKSA1
255W(Tc) 20V 3.5V@1.2mA 80nC@ 10 V 1N 600V 99m¦¸@ 18A,10V 31A 2.8nF@100V TO-220,TO-220-3 9.45mm
InfineonIPP60R099CPAAKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 / N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220
STMicroelectronicsSTP38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh m5 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP60R125CPXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
208W 20V 53nC@ 10V 1N 600V 125m¦¸@ 10V 25A 2.5nF@ 100V TO-220 10mm*4.4mm*9.25mm
25 A 600 V 0.125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:25A; On State Resistance:0.125ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:208W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Current Rating25 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation208 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen