STMicroelectronics STP35N60DM2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
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onsemiFCP125N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-220
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP35N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
210W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 54nC@ 10 V 1N 600V 110m¦¸@ 14A,10V 28A 2.4nF@100V TO-220 9.15mm
Mosfet, N-Ch, 600V, 28A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.094Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP35N60DM2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Resistance94 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Operating Temperature-55 °C
Rds On Max110 mΩ
Threshold Voltage4 V