STMicroelectronics STP32NM50N
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP32NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
190W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 62.5nC@ 10 V 1N 500V 130m¦¸@ 11A,10V 22A 1.973nF@50V TO-220
MOSFET, N-CH, 500V, 22A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.973 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Datenblätter und Dokumente
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