STMicroelectronics STP28NM50N
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP23NM50N
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
STMicroelectronicsSTP24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-220
STMicroelectronicsSTP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
onsemiFCP190N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP28NM50N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
STP28NM50N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 21 A, 500 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel 500 V 0.158 O 50 nC Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220
500V 21A 150W 158m´Î@10V10.5A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 500V, 21A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance158 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.735 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max158 mΩ
Resistance158 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time13.6 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant