Infineon IPP50R140CPXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
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InfineonIPP60R165CPXKSA1
192W 20V 2.5V 39nC@ 10V 1N 650V 165m¦¸@ 10V 21A 2nF@ 100V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
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N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPP50R140CPXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:550V; Current, Id Cont:23A; On State Resistance:0.14ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:550V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:192W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:23A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:192W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:550V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)3.5 V
Input Capacitance2.54 nF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation192 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance140 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation192 W
Rds On Max140 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-On Delay Time35 ns
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen