STMicroelectronics STP25N10F7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF25N10F7
N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIRFI1310NPBF
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
onsemiFDPF3860TYDTU
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP25N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
50W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 14nC@ 10 V 1N 100V 35m¦¸@ 12.5A,10V 25A 920pF@50V TO-220
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 25A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:25A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP25N10F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance920 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max35 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.8 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
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