STMicroelectronics STF25N10F7
$ 1.1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF25N10F7 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STF25N10F7 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-02
LTD Date2021-04-02
Verwandte Teile
InfineonIRFI1310NPBF
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
onsemiFDPF3860TYDTU
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFI540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.052Ohm;ID 20A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
STMicroelectronicsSTF30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 24 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF25N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package
STF25N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 25 A, 100 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STF25N Series N-Channel 100V 19 A DeepGATE Power Mosfet - TO-220FP
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 19A, To-220Fp; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:19A; On Resistance Rds(On):0.027Ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF25N10F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance920 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max35 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time14.8 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF25N10F7 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant