onsemi FDPF3860TYDTU
$ 0.654
Obsolete
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Verwandte Teile
InfineonIRFI1310NPBF
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
InfineonIRLI540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 23A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
STMicroelectronicsSTP25N10F7
N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTF30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 24 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDPF3860TYDTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 20A, 38.2mΩ
RAIL / PT3 100V 20A Lead forming
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight2.565 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation33.8 W
Rds On Max38.2 mΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
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