STMicroelectronics STP24N60DM2
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP24N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 200 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
150W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 29nC@ 10 V 1N 600V 200m¦¸@ 9A,10V 18A 1.055nF@100V TO-220
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Mosfet, N-Ch, 600V, 18A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP24N60DM2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time8.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time15 ns
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