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onsemi FCPF190N60E

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220F
$ 2.061
Production
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Vertriebspartner
SKU
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Verpackung
Staffelpreise
Newark
FCPF190N60E
846
1
USD
6,430
4,550
3,490
3,040
3,040
Rochester Electronics
2
FCPF190N60E
122
USD
2,070
1,850
1,740
19h
Mouser
512-FCPF190N60E
1.936
1
Tube
USD
5,950
3,570
2,850
2,390
2,390
Onlinecomponents.com
FCPF190N60E
0
250
Bulk
USD
2,050
2,050
DigiKey
FCPF190N60EOS-ND
910
1
Tube
USD
5,300
3,532
2,530
2,103
2,103

Datenblätter und Dokumente

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Datasheet11 SeitenVor 2 Jahren
Technical Drawing1 SeiteVor 5 Jahren

Master Electronics

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FCPF190N60E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 20.6 A, 190 mΩ, TO-220F
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Richardson RFPD
39W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 82nC@ 10V 1individualNChannel 600V 190mΩ@ 10A,10V 20.6A 830pF@25V TO-220F Through hole mounting 10.16mm*4.7mm*19.1mm
UnikeyIC
MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:39W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
element14 APAC
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Fairchild Semiconductor

Bilder

TME
Farnell
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd