STMicroelectronics STP13N60M2
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N-Channel 600 V 7 A 330 mO 22 nC CoolMOS P6 Power Transistor - TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP13N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP13N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220
STP13N60M2 Series N-Channel 600V 380 mOhm MDmesh II Plus Power Mosfet - TO-220-3
110W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 5.5A,10V 11A 580pF@100V TO-220
Low gate input resistance | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
Mosfet, N-Ch, 600V, 11A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:11A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP13N60M2
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance580 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max380 mΩ
Resistance380 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant