STMicroelectronics STF13N60M2
$ 0.863
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +94.10%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF13N60M2 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STF13N60M2 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
VishaySIHF12N60E-GE3
E Series N-Channel 600 V 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF13N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF13N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-Channel 600 V 380 mO 17 nC Flange Mount MDmesh II Plus Mosfet - TO220FP
MOSFET 25W(Tc) 25V 4V@250μA 17nC@10V 1 N-Ch 600V 380mΩ@5.5A,10V 11A 580pF@100V TO-220FP TH 20mm H
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +94.10%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance580 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STF13N60M2 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant