STMicroelectronics STF13N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
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N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP
VishaySIHF12N60E-GE3
33W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 58nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 6A,10V 12A 937pF@100V TO-220 16.12mm
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF13N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF13N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
25W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 17nC@ 10 V 1N 600V 380m¦¸@ 5.5A,10V 11A 580pF@100V TO-220FP 20mm
N-Channel 600 V 380 mO 17 nC Flange Mount MDmesh II Plus Mosfet - TO220FP
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 11A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:11A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF13N60M2
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance580 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant