Infineon IPA60R280E6XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-21
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
onsemiFCPF260N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220F
VishaySIHF15N60E-GE3
34W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 78nC@ 10 V 1N 600V 280m¦¸@ 8A,10V 15A 1.35nF@100V TO-220 16.12mm
InfineonIPA60R199CPXKSA1
34W 20V 3.5V 32nC@ 10V 1N 600V 199m¦¸@ 10V 16A 1.52nF@ 100V TO-220 10.65mm*4.85mm*16.15mm
STMicroelectronicsSTF18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA60R280E6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 13.8 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Through Hole
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 600V, 13.8A, To-220Fp-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.8A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.25Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA60R280E6XKSA1
CoolMOS™ E6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease-of-use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ E6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ E6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.8 A
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance950 pF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation32 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance280 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation32 W
Rds On Max280 mΩ
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen