STMicroelectronics STP110N10F7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP100N08S2L07AKSA1
MOSFET, N-CH, 75V, 100A, TO-220; Available until stocks are exhausted Alternative available
onsemiNDPL100N10BG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220 / Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
STMicroelectronicsSTP110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP110N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 5.1 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STP110N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 110 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Mosfet, N-Ch, 100V, 110A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP110N10F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant