STMicroelectronics STP110N8F6
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP80N08S406AKSA1
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 / N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
STMicroelectronicsSTP170N8F7
N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonIRFB3407ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
Rochester ElectronicsIPP08CNE8NG
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 85 V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP130N6F7
N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP110N8F6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 80V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
200W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 150nC@ 10 V 1individualNChannel 80V 6.5mΩ@ 55A,10V 110A 9.13nF@40V TO-220 Through hole mounting 9.15mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance9.13 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max6.5 mΩ
Schedule B8541290080
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