STMicroelectronics STP10N95K5
$ 1.558
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STP10N95K5 | 44 | 1 | 23h | ||||||||
| DigiKey | 497-14568-5-ND | 857 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STP10N95K5 | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STP10N95K5 | 0 | 2 | Bulk | 17h | |||||||
| Avnet | STP10N95K5 | 0 | 1K | 3h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP10NK80Z
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP10N95K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STP10N95K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8 A, 950 V, 3-PIN TO-220
N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 950 V 0.8 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220
STMicroelectronics NMOS MDmesh K5, SuperMESH5, Vds=950 V, 8 A, TO-220, , 3
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 950V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 950V, 8A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:8A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP10N95K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm