STMicroelectronics STP8N80K5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonSPP04N60C3XKSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 0.95ohm; 50W; -55+150 deg.C; THT; TO220
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP8N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.8 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STP8N80K5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6 A, 800 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 800V, 6A, To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:6A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP8N80K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -99.12%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance950 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max950 mΩ
Resistance950 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant