Infineon IRFB3407ZPBF
$ 1.2
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-03-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP100N6F7
N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB3407ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFB Series 75V 120A 230W 6.4mOhm TH Single N-Channel MOSFET TO-220-3
MOSFET, 75V, 120A, 3.4 mOhm, 79 nC Qg, TO-220, TUBE
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
MOSFET, N-CH, 75V, 120A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.005ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.4 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max6.4 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height20.56 mm