STMicroelectronics STL38N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTL45N65M5
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MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL38N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STL38N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 22 A, 650 V, 5-Pin PowerFLAT HV
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 8x8 HV package
Mosfet, N-Ch, 650V, 22.5A, Powerflat Hv Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STL38N65M5
Trans MOSFET N-CH 650V 3.5A 5-Pin Power Flat T/R
Power MOSFETs, 650V, 22.5A, PowerFLAT 8x8 HV, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 650V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)22.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max105 mΩ
Resistance105 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time66 ns
Dimensions
Height950 µm
Length8 mm
Width8 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant