STMicroelectronics STL34N65M5
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTL45N65M5
N-channel 650 V, 0.075 Ohm typ., 22.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
STMicroelectronicsSTL38N65M5
STL38N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 22 A, 650 V, 5-Pin PowerFLAT HV
VishaySIHB24N65E-GE3
E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
VishaySIHB24N65E-E3
MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STL34N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.99 Ohm typ., 22.5 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
N-Channel 650 V 120 mOhm 22.5 A MDmesh V Power MosFet - PowerFLAT 8 x 8
Trans MOSFET N-CH 650V 22.5A 5-Pin Power Flat T/R
Low gate input resistance | MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 650V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
16/32-Bits Micros |Stmicroelectronics STL34N65M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)22.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time8.7 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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