STMicroelectronics STB35N65M5
$ 3.645
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STB35N65M5 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | STB35N65M5 | 0 | 1K | 4d | ||||||||
| Arrow Electronics | STB35N65M5 | 0 | 1K | |||||||||
| Farnell | STB35N65M5 | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Win Source | WS-STB35N65M5 | 4.000 | 9 | 1d |
Datenblätter und Dokumente
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MOSFET, N CH, 650V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB35N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
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Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 650V, 0.098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 650V, 27A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:160W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance98 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation160 W
Rds On Max98 mΩ
Resistance98 Ω
Rise Time12 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant