STMicroelectronics STI270N4F3
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-11-11
LTD Date2023-05-11
Verwandte Teile
InfineonIPI90N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3 N-Channel 40 V 90A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
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Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
InfineonIPI120N04S401AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 N-Channel 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
STMicroelectronicsSTB100NF03L-03-1
N-channel 30 V, 0.0026 Ohm typ., 100 A StripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronicsSTI400N4F6
N-channel 40 V, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in I2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI270N4F3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STMICROELECTRONICS STI270N4F3 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 2.1 mohm, 10 V, 4 V
N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 160 A STripFET F3 PowerMOSFET in I2PAK package
STI270N4F3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 120 A, 40 V, 3-PIN I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N CH, 40V, 120A, I2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:330W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:I2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:120A; Package / Case:I2-PAK; Power Dissipation Pd:330W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation330 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time180 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant