STMicroelectronics STB100NF03L-03-1
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2018-10-21
LTD Date2019-04-21
Verwandte Teile
onsemiISL9N303AS3
Discrete Commercial N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 75A, 0.0032 Ohms @ VGS = 10V, TO-262/I2PAK Package
InfineonAUIRFSL3206
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package
STMicroelectronicsSTB80NF03L-04-1
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - I2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTI270N4F3
STMICROELECTRONICS STI270N4F3 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 2.1 mohm, 10 V, 4 V
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB100NF03L-03-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 30 V, 0.0026 Ohm typ., 100 A StripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
N-channel 30V - 0.0026ohm - 100A - D2PAK/I2/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
TDK - CGA5L3X7S2A225M160AE - SMD Multilayer Ceramic Capacitor, 2.2 µF, 100 V, 1206 [3216 Metric], ± 20%, X7S, CGA Series
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance6.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max3.2 mΩ
Rise Time315 ns
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Datenblätter und Dokumente
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