Infineon IPI60R125CPXKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPI60R099CPXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31 A, 90 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
InfineonIPI60R099CPAAKSA1
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube / CoolMOS Power Transistor
STMicroelectronicsSTI33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI40N65M2
N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI34N65M5
N-channel 650 V, 0.09 Ohm typ., 28 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI60R125CPXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
CoolMOS CP, Infineon's fifth series of CoolMOS, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. | Summary of Features: Lowest figure of merit R on x Q g; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rate; Ultra low R DS(on), ultra low gate charge, very fast switching; V th 3 V, g fs very high, internal R g very low; High current capability; Significant reduction of conduction and switching losses; High power density and efficiency for superior power conversion systems; Best-in-class price/performance ratio | Target Applications: Solar; Server; Telecom; Consumer; Adapter; PC power
MOSFET, N, TO-262; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:25A; On State Resistance:0.125ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:TO-262; Power Dissipation Pd:208W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation208 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen