STMicroelectronics STFI28N60M2
Obsolete
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Bestandsverlauf
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Alternative Teile
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI33N65M2
N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
InfineonIPI60R125CPXKSA1
N-Channel 650 V 25 A 208 W 125 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO262-3-1
STMicroelectronicsSTFI24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
InfineonIPI60R190C6XKSA1
N-Channel 600 V 20.2 A 151 W 190 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TO262-3-1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI28N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin I2PAK FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
Ptd High Voltage
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Resistance135 mΩ
Rise Time7.2 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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