STMicroelectronics STFI15N65M5
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTI14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
InfineonIPI60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3 N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
InfineonIPI50R250CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3 N-Channel 500 V 13A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
STMicroelectronicsSTI13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI15N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 650 V, 0.308 Ohm typ., 11 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STFI15N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 710 V, 3-Pin I2PAKFP
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance816 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max340 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time12.5 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant